两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性

来源 :第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chinajswgh
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该文研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺CNOS运算放大器电咱的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示,虽然对单管特性而言,干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力,但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性,因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明,适当的界面态的引入,有利于增加负载电流镜的饱和工作范围,从而降低电路的辐射敏感性。
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