【摘 要】
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系统地研究了快速热退火对带有3个纳米InGaAs(x=0,0.1,0.2)盖层的3纳米主高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料开发实验室(北京)
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系统地研究了快速热退火对带有3个纳米In<,x>Ga<,1-x>As(x=0,0.1,0.2)盖层的3纳米主高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的.但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分.我们的实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用.另外,我们在较高的退火温度观测到InGaAs的发光峰.
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