论文部分内容阅读
我们成功制备了以SnO2:Sb纳米带为源漏电极的SnO2单晶纳米带场效应晶体管。当暴露于NO2气氛环境下时,器件显示出异常特征,即阈值电压向负压方向发生偏移。通过与以SnO2纳米带为半导体,金属薄膜为源漏电极,和以SnO2:Sb纳米带为半导体,金属薄膜为源漏电极的两种场效应型气体传感器的气敏性能进行对比,在以SnO2:Sb纳米带为源漏电极,SnO2单晶纳米带为半导体构建的传感器中,SnO2:Sb纳米带电极和SnO2纳米带之间的接触界面对载流子高注入效率以及阈值电压负向偏移起到了至关重要的作用。