硅通孔刻蚀技术在先进封装应用上的挑战和应对

来源 :第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:heidaruanjiande1
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硅通孔(TSV,Through Silicon Via)刻蚀是穿透硅片的高速深孔刻蚀,能够在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,是实现影像感测器芯片、LED芯片的先进封装以及三维芯片集成的关键工艺.这些新兴领域的日趋广泛的应用,使得硅通孔刻蚀设备有相当的市场潜力.
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