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该文率了纳米电子学，主要是量子效应器件及其应用研究的最新进展，综合了对硅基CMOS纳米尺度电子学，Ⅲ-V族化合物半导体共振隧道效应电子学，单电子电子学，人造原子和人造分子电子学，单原子和单分子电子学的发展预测，引进了量子场电子学和量子场光子学的概念。还讨论了Tbit以上存贮器可能的设计方案和相应的纳米制造技术。