最近研究发现,在二维材料中,层与层之间通过弱的范德瓦尔斯力相互作用,也可以引起新奇的物理现象,如石墨烯层与层之间的扭曲,石墨烯与层状氮化硼之间的作用等。作为一种典型的二维材料,由于结构的对称性,层堆积方式的不同,以及自旋-轨道耦合的存在,在过渡金属硫化物中,层与层之间的耦合会引起很多奇妙的现象。在这个报告中,我们以MoS2 作为一种二维半导体原型材料,通过第一性原理方法结合紧束缚模型来理解,堆积方式不同和自旋-轨道耦合效应所引起的结构稳定性和电子性质变化。我们分析了一种典型的3R-类型的MoS2的堆积方式的稳定性。在此基础上,我们分析的3R-MoS2结构中,层数不同所引起的电子性质的变化。我们研究了2H-类型的MoS2,分析了自旋-轨道耦合引起的电子结构变化和光学性质变化。