BaTiO3-CaSnO3系压电陶瓷中微观缺陷的正电子湮没研究

来源 :第十届全国正电子湮没谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Y5926535897
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测量了不同CaSnO3含量的(1-x)BaTiO3-xCaSnO3压电陶瓷样品符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验结果表明,随着(1-x)BaTiO3-xCaSnO3陶瓷样品中caSnO3含量x的升高,正电子寿命谱的第二组分强度I2及平均寿命τm均升高,商谱谱峰降低,陶瓷样品中的缺陷浓度升高。在BaTiO3陶瓷中添加CaSnO3,将抑制晶粒的生长,使品界缺陷增加。随着烧结温度的升高,0.8BaTiO3-0.2CaSnO3和0.6BaTiO3-0.4CaSnO3陶瓷样品的晶粒最大,晶界缺陷和空位等减少,陶瓷样品的商谱降低。
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