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本文中采用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,并对比了不同制备温度和退火温度对ITO薄膜的电阻率、透过率、结构等方面的影响,并将其应用于硅基异质结太阳电池中.
退火处理对磁控溅射ITO薄膜性能的影响
【摘 要】
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本文中采用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,并对比了不同制备温度和退火温度对ITO薄膜的电阻率、透过率、结构等方面的影响,并将其应用于硅基异质结太阳电池中.
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071
【出 处】
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第13届中国光伏大会
【发表日期】
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2013年期
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