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利 用 阱 结 构 作 为 发 光 层 , 阱 由 8- 羟 基 喹 啉 铝 (Alq) 和 4,4 ′ -N,N ′–dicarbazole-biphenyl (CBP)交替蒸发长成，改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积，形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光。器件的最大电流效率在外加电压8V时达到4.1cd/A,与一般异质结器件相比效率提高了2倍多。这说明在适当阱数时用简单办法可提高器件的效率。