选择性发射极技术有效地解决了太阳能电池表面轻掺杂以避免“死层”和重掺杂来获得良好欧姆接触的矛盾,被公认为是一种有效提高电池光电性能的技术.本文报道了一种简单、低成本实现选择性发射极太阳电池的技术——磷墨技术.大规模生产中,在B级硅片上实现了平均效率为19.01％的选择性发射极电池,其中最佳效率达19.27％,而对比组(均匀结电池)的平均效率仅为18.56％.而且令人兴奋的是,这种选择性发射极电池的电性能偏差也较对比组的要低得多,说明通过磷墨技术实现的选择性发射极电池具有良好的生产稳定性.此外,还试验了几种不同的银浆进行正面金属化,发现它们均能很好地跟磷墨选择性发射极电池相融合,使电池具有较好的电性能,提供了一种选择廉价银浆的机会.最后,本文借助PC1D模拟发现,当栅线间的方阻由目前的70提升至120Ω/□时,电池性能将会获得进一步的提高,而且考虑组件中EVA和玻璃的光损失后,仍然会有更高的光电转换效率.