【摘 要】
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本文报道了采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb衬底生长InAs/GaSb二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(＜2微米),短波(2-3微米)以及中波(3-5微米)红外探测.在77
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京100083;中国科学院苏州纳米技术与纳米医药科技研究所,苏州215123中国科学院半导体研究所,北京100083中国科学院苏州纳米技术与纳米医药科技研究所,苏州21512
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本文报道了采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb衬底生长InAs/GaSb二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(＜2微米),短波(2-3微米)以及中波(3-5微米)红外探测.在77 K下,超短波范围内对应的50％截止波长为1.91微米,峰值为1.84微米,Johnson限制噪声探测率达1.1*1013 Jones；在短波范围内,对应的50％截止波长为2.56微米,峰值波长为2.34微米；在中波范围内,对应的50％截止波长为4.8微米,Johnson限制噪声探测率达2.4*1011 Jones.当温度升至室温时,以上是三个波段范围内对应50％截止波长分别为2.1微米,3.0微米和6.0微米；另外在超短波范围内的峰值Johson噪声限值的探测率为3.8*1010 Jones.研究表明,实现InAs/GaSb二类超晶格短波及超短波红外探测主要困难在于InAs和GaSb界面之间互混效应.在中波波段红外探测器,采用SiON材料对器件进行钝化,可以抑制表面泄漏电流,从而提高器件性能.
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