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本文针对新一代微电路PN结结构提出了增强光电流模型.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应.这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.
增强光电流模型对微电路PN结的二维数值模拟
【摘 要】
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本文针对新一代微电路PN结结构提出了增强光电流模型.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应.这些
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所西北核技术研究所西安电子科技大学微电子所西北核技术研究所
【出 处】
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第三届计算物理学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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