硅薄膜太阳能电池的吸收层厚度一般只有几百纳米,使得进入薄膜太阳电池光的光程很短,导致入射太阳光难以被充分吸收,因此成为除材料以外制备薄膜太阳能电池效率提高的重要因素.通过陷光技术能有效地延长光在电池吸收层中的光程以及降低电池表面的反射率,是提高硅薄膜太阳能电池效率的有效途径之一.本报告报道一种新颖的,不改变现在平板玻璃硅薄膜电池生产工艺的微纳米高效陷光技术.该技术基于微纳光学原理,采用微纳加工技术,在平板玻璃硅薄膜太阳能电池表面制备类半球的凹坑阵列陷光结构.研究表明,该陷光结构能够有效地减少电池表面玻璃对入射光的反射率,延长入射光在电池吸收层中的光程,同时可以抵制电池内部的光能逃逸,提高硅薄膜太阳能电池的光电转化效率.测试结果表明,该陷光结构对于a-Si 薄膜电池和叠层a-Si/u-Si薄膜电池的入射光(300-1200nm)俘获率分别高达97％和98.6％,,其光电转化效率分别提高4.6％和4.1％(在标准AM1.5 模拟光下).