【摘 要】
：
本文主要阐述了一种无机薄膜电致发光(TFEL)显示器的老化技术方法.该老化方法将显示器件在氧气或者含氧气氛中预先老化足够长的时间,使TFEL器件中由薄膜的针孔等缺陷所诱发的打火自行愈合,然后再将器件封装在保护气氛中继续老化.由于在含氧气氛中,电极在打火时自身被氧化,形成绝缘层,抑制,扩展型的介质层击穿,使断线产生的可能性降到最低.这种老化方法大幅度提高了显示器的可靠性,提高了器件生产的成品率和生产
【机 构】
：
上海交通大学 电子信息与电气工程学院,上海 200030 上海广电电子股份有限公司 平板显示技术研究开发中心,上海 200081
论文部分内容阅读
本文主要阐述了一种无机薄膜电致发光(TFEL)显示器的老化技术方法.该老化方法将显示器件在氧气或者含氧气氛中预先老化足够长的时间,使TFEL器件中由薄膜的针孔等缺陷所诱发的打火自行愈合,然后再将器件封装在保护气氛中继续老化.由于在含氧气氛中,电极在打火时自身被氧化,形成绝缘层,抑制,扩展型的介质层击穿,使断线产生的可能性降到最低.这种老化方法大幅度提高了显示器的可靠性,提高了器件生产的成品率和生产效率,降低了制备薄膜所需的环境和设备要求,降低了成本,适用于大批量生产.
其他文献
本文研究了不同氧分压参数制备MgO薄膜的结晶结构和光致发光性质.对薄膜样品分别进行了XRD和FESEM测试与分析,并用光致发光谱分析薄膜的发光性质.结果表明:低氧分压下MgO薄膜具有(111)和(200)择优取向;高氧分压下MgO薄膜具有(111)择优取向.薄膜在紫外线激发下出现了350nm～600nm的可见光发射带,与MgO的缺陷能级有关.
本文合成了一种新的含(噁)二唑基团的邻菲啰啉衍生物,在对其光致发光和热分析研究的基础上,将其直接蒸镀成膜制备了非掺杂的蓝色电致发光器件ITO/NPB(40nm)/1,10-Phenanthroline derivative(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm).测试显示该器件能发出明亮而纯正的蓝色电致发光,光谱λ max=442nm,半峰宽约为75nm,最大亮度为
本文研究了老炼过程对42寸新型荫罩式PDP(SM-PDP)的静态放电特性及MgO薄膜的影响.持续的老炼使荫罩式PDP的着火电压和维持电压逐渐降低并维持稳定,而静态记忆余裕度(static margin)则持续缓慢增大并稳定.运用FESEM观察了老炼前后放电区域MgO薄膜表面形貌的变化,发现MgO薄膜表面比老炼前平滑,晶体结构发生了较大的改变.
选择调整法使用图像本身来生成调整图形,利用调整图形与原图形的计算实现平板显示器件的画面亮度增强.在RGB彩色模式下,该算法除了可以避免图像对比度减小,还可以避免传统亮度调整算法带来的灰度级不连续分布,使处理后的图像的色彩范围和色彩饱和度可以达到比以前更好的效果.
本文主要介绍了荫罩式等离子显示器MgO制备中掺杂对MgO性能的影响.通过电子束蒸发制备无掺杂MgO和掺杂的MgO作为保护膜,并制备试验屏.通过XRD分析研究了MgO的微观结构,并测量了静态记忆余裕度(Margin).结果显示通过掺杂的MgO可以大大改善SMPDP的性能.
以Li3N为电子注入层制备了一种多层结构的白光有机电致发光器件.器件结构为ITO/NPB/NPB:YD/BH:BD/Alq3/Li3N/Al.通过与常规LiF/Al阴极结构的器件对比得出,Li3N/Al结构阴极能有效提高了器件发光效率及寿命.该向光器件在7.0V电压下对应亮度及电流效率分别为5500cd/m2,10.5cd/A.工作电压为9V时亮度高达25000cd/m2.在此基础上制备了较大面积
本文比较两种不同结构白光器件的性能和色稳定性.结果发现,利用色变换方法制备的白色发光器件能够实现低电压、高的色稳定性,可以应用于平板显示的背光源.
本文主要介绍了一种通过有机材料和无机介质层进行复合,用来提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法,通过这种复合方法提高了器件中介质层的耐压可靠性,减少甚至消除了器件在工作时出现的漏电、打火、击穿等现象.
本文报道了一种补偿薄膜晶体管阈值漂移的AMOLED像素电路.电路工作存预充电、偏压设定与正常发光三个阶段,在不增加扫描线或者数据线的情况下, 实现补偿VTH漂移的功能,同时可以简化系统电路,提高像素功耗效率的优点.仿真结果表明该电路可以有效补偿薄膜晶体管的阈值漂移.
为提高BaMgAl10017:Eu(BAM)荧光粉的抗热劣化性能,本文通过溶胶—凝胶法在BAM颗粒表面进行CaF2包覆.用XPS对包覆样品进行表面成分分析.结果表明成功地在BAM颗粒上包覆TCaF2.通过研究样品在254nm和147nm激发下的发光性能和抗热劣化性能.我们发现Ca-F2/BAM质量比为0.2wt％和0.5wt％的样品分别在254nm和147nm的光激发下具有最佳的抗热劣化性能.与M