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本文报道了在室温和低温下对常压烧结碳化硅中气孔诱发裂纹的研究工作。比较了不同温度下常压烧结碳化硅陶瓷抗弯强度的韦伯模数分布；基于常压烧结氮化硅的显微结构，对裂纹尖端应力场展开分析；研究了77 K和293 K下气孔诱发裂纹对材料断裂行为的影响。利用在线XRD测量碳化硅单晶在低温下的晶格常数变化。分析结果表明：在低温下，由于气孔诱发裂纹有效长度减小以及扩展阻力增大，裂纹对材料断裂的影响减弱。常压烧结碳化硅陶瓷在低温下断裂可靠性增加，断裂强度增加，这种变化有利于它在低温深空碳化硅反射镜的应用。