3d元素掺杂的Bi2Se3晶体中掺杂元素的近邻结构研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:whenhm
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拓扑绝缘体由于其独特的表面态而引起了广泛关注.在目前发现的拓扑绝缘体中,Bi2Se3具有最高能隙,因此Bi2Se3最有可能在自旋电子学得到应用.通过3d元素的掺杂,铁磁性的掺杂Bi2Se3单晶已经被制造出来,但是其铁磁机制仍不清楚.
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