【摘 要】
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本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器—混合PiN/Schottky二极管(MPS).理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性.以4H SiC材料为例模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数.成功的制作了以Ni做肖特基金属,拥有JTE终端的4H-SiC MPS二极管,器件的击穿电压在600V-700V之间,
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器—混合PiN/Schottky二极管(MPS).理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性.以4H SiC材料为例模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数.成功的制作了以Ni做肖特基金属,拥有JTE终端的4H-SiC MPS二极管,器件的击穿电压在600V-700V之间,约为平行平板结理论值的70﹪,反向漏电流在-600V时小于10<-6>A/cm<2>,而正向电流密度在3.5V时达1000A/cm<2>.
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