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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对p-i-n 型窄带隙(<1.5eV)非晶硅锗单结太阳电池进行研究.针对窄带隙非晶硅锗电池填充因子差的问题,基于电场屏蔽效应而导致的非晶硅锗电池本征层内建电场分布不均匀的现象,提出通过微调弱内建电场区域光生空穴迁移率-寿命(μτ)积以改善空穴输运能力的工艺方法,相比于线性带隙梯度分布工艺制备的非晶硅锗单结电池,其可在保持电池长波响应的同时,显著提高填充因子,达68.33%.