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采用溶胶凝胶法合成SiO2含量为0.05％(ω，质量分数)的Ce08Nd0.2O19(NDC)粉体(NDCSi).将0-2.0％(x.摩尔分数)的MgO和FeO1.5分别添加到NDCSi粉体中，经10 MPa压片后于1300℃烧结6h采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品进行结构表征.采用交流阻抗谱(AC)测试样品导电性能.结果表明：所有样品均呈现单一立方萤石结构.MgO和Fe2O3掺杂于NDCSi体系，均可提高材料的致密度，降低烧结温度，提高材料的晶界电导率和总电导率.掺杂MgO或Fe2O3样品的相对密度(＞93％)高于NDC或NDCSi(约86％)，有效促进了样品致密化.NDCSi+0.5FeO1.5和NDCSi+2.0MgO在550℃时总电导率是NDCSi总电导率的5.7和2.6倍.MgO和Fe2O3均具有烧结助剂和晶界清除剂的双重作用，但清除杂质SiO2的机制不同.