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本文提出了一种以玻璃为衬底的单晶硅体微机械加工梳状电容式加速度传感器结构,器件梳状叉指刻蚀采用单晶硅DRIE技术,可大大增加器件厚度,从而大幅增加器件检测电容,便于信号检测.对传感器工作原理,性能模拟计算及制作工艺流程等进行了分析,并测得传感器±1g范围内静态特性,测试结果表明传感器具有较高的灵敏度和线性度.