碳化硅材料以其一系列优异的性能正逐步取代传统材料应用于空间光学领域。但其硬度高、脆性大、化学稳定性强,其光学表面加工一直以来都是一大难题,另外,材料的显微缺陷对于光学表面的获得及光学性能具有很大的影响。对碳化硅材料进行表面改性是一种行之有效的解决办法。本文对无压烧结碳化硅材料的表面改性进行了研究,采用物理气相沉积法在其表面镀制了非晶硅改性层。研究结果表明,在碳化硅材料表面上沉积硅改性层能有效覆盖碳化硅材料的表面缺陷;本实验所得的硅改性层具有致密度高、表面缺陷少、残余应力小、各向同性及与基体结合良好等优异的性能;硅改性层抛光后能获得表面粗糙度低于1 nmRMS的光学表面。此外,研究发现,当SiC基体的表面粗糙度较低时,能够获得更加致密的PVD Si改性层,在400～750nm波段的全反射率较高。