【摘 要】
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通常要用多参考态方法才能合理处理需考虑旋轨耦合效应的开壳层分子如AuO 和AuS的低电子态.事实上,通过选取合适的参考态采用运动方程耦合簇方法(EOM-CC)也能计算这些分
【机 构】
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四川大学化学学院,成都 610065
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通常要用多参考态方法才能合理处理需考虑旋轨耦合效应的开壳层分子如AuO 和AuS的低电子态.事实上,通过选取合适的参考态采用运动方程耦合簇方法(EOM-CC)也能计算这些分子的一些低电子态,而且EOM-CC 方法是单参考态方法,使用起来比多参考态方法更加简单.本文中我们采用最近发展的含旋轨耦合的EOM-CC 计算电离能的方法(EOMIP-CC),选取对应的负离子为参考态,在CCSD 级别上计算了AuO 和AuS 低电子态的性质.在不考虑旋轨耦合时,通过比较EOMIP-CCSD 和EOMIP-CCSDT 的结果考察EOMIP-CCSD 的精度.此外,与EOMIP-CCSDT 结果相比,如果自旋污染较为显著而且T1 的模较大时,UCCSD(T)方法对能量最低的某一特定对称性的电子态的所对应的电离能误差约为0.1-0.15 eV.在考虑了旋轨耦合效应后,我们的方法得到的键长和振动频率与实验吻合较好.另一方面,虽然EOMIP-SOC-CCSD 高估了能量较高的2Δ3/2 态,2Σ+1/2 态和2Π1/2 态的能量,但是对于其它能量更低电子态与已有实验值误差在0.2 eV 左右.这显示我们所用的含SOC 的EOMIP-CCSD 方法对原本需要用多参考态方法才能处理的AuO 和AuS 低电子态能给出可靠的结果.
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