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本文通过在聚酰亚胺基体中引入一定量MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明:MMT片层均匀而充分的分散提高了MMT/PI薄膜的耐电弧性,这是聚酰亚胺薄膜电老化性能改善的原因.
MMT/PI复合薄膜的电击穿破坏特性
【摘 要】
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本文通过在聚酰亚胺基体中引入一定量MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明:MMT片层均匀而充分的分散提高了MMT/PI薄膜的
【机 构】
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中国科学院化学研究所高技术材料实验室,北京,100080
【出 处】
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第九届全国绝缘材料与绝缘技术学术会议
【发表日期】
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2005年期
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