【摘 要】
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针对纳米级工艺下瞬态故障引发的软错误可能造成电路失效这一问题,提出一种容软错误的流水线电路加固方案.该方案面向软错误的主要诱因--单事件翻转(single event upset,SEU)
【机 构】
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合肥工业大学,计算机与信息学院,安徽,合肥,230009
【出 处】
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2010年第四届中国可信计算与信息安全学术会议
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针对纳米级工艺下瞬态故障引发的软错误可能造成电路失效这一问题,提出一种容软错误的流水线电路加固方案.该方案面向软错误的主要诱因--单事件翻转(single event upset,SEU),利用新型的容错结构锁存器(radiation hardened by design Iatch,RHBDL),构造高可靠性的触发器RHBD-DFF,对电路中原始时序单元进行加固,同时对流水线电路进行了软错率理论分析.考虑到加固所带来的附加开销,采取选择性加固的策略,对电路中的关键时序单元进行加固.实验结果表明,基于开销限制前提的选择性加固,能够达到以低开销代价换取高容错性能的目的.
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