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基于所开发的薄膜SOI高压工艺，首次在国内生产线上一次试验成功64位输出、驱动电压大于80V、电流能力大于15mA、时钟频率大于40MHz的SOI基等离子显示板寻址电极驱动电路。
基于薄膜SOI工艺的PDP寻址驱动电路
【摘 要】
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基于所开发的薄膜SOI高压工艺，首次在国内生产线上一次试验成功64位输出、驱动电压大于80V、电流能力大于15mA、时钟频率大于40MHz的SOI基等离子显示板寻址电极驱动电路。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
：
第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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