【摘 要】
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采用金属掺杂策略改进和调控半导体TiO2的表面增强拉曼散射(SERS)性能,并且深入理解semiconductor(TiO2)-to-molecule电荷转移机制的贡献/控制因素.研究表明,掺杂金属离
【机 构】
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College of Pharmacy, Jiamusi University, Jiamusi 154007, China
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采用金属掺杂策略改进和调控半导体TiO2的表面增强拉曼散射(SERS)性能,并且深入理解semiconductor(TiO2)-to-molecule电荷转移机制的贡献/控制因素.研究表明,掺杂金属离子的固有本性及掺杂量对半导体TiO2纳米粒子的SERS增强性能有重要影响.当Fe3+,Co2+及Ni2+的掺杂量分别为0.5％,1％,3％时,能极大地提高TiO2纳米粒子的SERS性能.SERS性能的显著提高归因于掺杂的金属粒子,金属粒子的引入可以在TiO2半导体的带隙中植入(或嵌入)丰富的掺杂能级,而掺杂能级在semiconductor-tomolecule电荷转移过程中扮演了重要角色.
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