论文部分内容阅读
该文研究了国产CMOS高速电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在<60>Co辐照下,交流 特性退化与总剂理、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率0.07Gy(Si)/s辐照下,延迟时间T<,PHL>退化比高剂量率1.9Gy(Si)/s辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量纺效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的T<,PLH>和T<,PHL>产生较早而明显的退化。因此,为了 评估此类电路的总剂量加固性能,需要考虑合适的辐照试验条件和评估方法是十分重要的。同时结果亦为如何进一步提高加固水平具有指导作用。