【摘 要】
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The power of high brightness light emitting diodes (LEDs) has been raised substantially in the past few years due to the technological progress.However,high
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The power of high brightness light emitting diodes (LEDs) has been raised substantially in the past few years due to the technological progress.However,higher power will induce more heat and result in a higher junction temperature,which against better luminous efficiency and long term reliability of LEDs.As a result,thermal management became a crucial consideration in the design of an LED device.Junction temperature and thermal resistance are the main parameters reflecting the heat dissipation capability of the LED device.There are many techniques have been documented to measure the junction temperature of the LEDs,such as the forward voltage,peak energy shift,infrared micro-imaging,micro Raman spectroscopy and electroluminescence,etc.However,most measurement methods require complex and expensive equipment setups for precise junction temperature.
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