【摘 要】
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利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70％时,这些ZnO样品中存在同一种正电子
【机 构】
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中国科学技术大学近代物理系核固体实验室
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利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70％时,这些ZnO样品中存在同一种正电子湮没类型,即正电子是与材料中的晶格原子发生湮没.PO2＞70％时,这些ZnO样品中存在VZn.随着O2含量的增加,样品的VZn浓度逐渐增加;当PO2为85％时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2为50％,材料中H原子数目相对较多,H原子会与晶格中的悬挂键结合,这时能与晶格原子悬挂键湮没的正电子数目和存在同种缺陷的其它样品要减少很多.随着O2含量增加,VZn浓度变大,Vo和Zni浓度减小,这些变化与光致发光谱(Photoluminescence,PL谱)反映的实验结果相吻合.
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