【摘 要】
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ZnO作为光电子材料而被关注的十几年来,p型掺杂工作一直是人们致力研究的重点。以N掺杂为代表的p型ZnO的重大突破,使人们在N相关的掺杂机制方面的认识也较为深入。在ZnO
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态物理重点实验室,长春130033吉林大学物理学院,超硬材料国家重点实验室,长春130023
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ZnO作为光电子材料而被关注的十几年来,p型掺杂工作一直是人们致力研究的重点。以N掺杂为代表的p型ZnO的重大突破,使人们在N相关的掺杂机制方面的认识也较为深入。在ZnO中,除了本征的施主缺陷以及人们所熟知的H受主,氧位N-N对的形成和其施主作用也被理论和实验工作逐步证实[1,2]。为了实现高效率的p型掺杂,ZnO中各种缺陷对受主的钝化和补偿作用的研究工作十分必要。在本文中,另一种复合缺陷,即氧位的碳氮复合缺陷(CN)o也在实验上被证实为重要的受主补偿源之一。
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