【摘 要】
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Si/Si1-xGex量子阱(QW) pMOSFET具有较高的空穴迁移率以及同传统Si工艺的可兼容性,得到越来越多的重视与研究.在QW pMOSFET器件中,除了传统的散射机制(如库伦散射、声子散射、表面粗糙度散射)外,Si1-xGex合金带来的合金散射也将影响载流子的迁移率[1～2].
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院,江苏南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术统所,上海2000
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Si/Si1-xGex量子阱(QW) pMOSFET具有较高的空穴迁移率以及同传统Si工艺的可兼容性,得到越来越多的重视与研究.在QW pMOSFET器件中,除了传统的散射机制(如库伦散射、声子散射、表面粗糙度散射)外,Si1-xGex合金带来的合金散射也将影响载流子的迁移率[1～2].
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