2D-Si片、Ge片和Sn片的量子自旋霍尔效应

来源 :第十八届全国凝聚态理论与统计物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:seraphim0113
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拓扑绝缘体是一种全新的量子物质态,它的发现是凝聚态物理研究领域的一项重大突破,拓扑绝缘体不同于传统意义上的"金属"和"绝缘体".这种物质具有内部为绝缘体和受时间反演保护的金属表面态或者边缘态.量子自旋霍尔效应已经被证实,相继在HgTe、GaAs材料的实验中观察到量子自旋霍尔效应.Bi2Se3等半导体为三维拓扑绝缘体在实验研究中提供了理想的模型.张守晟证实HgTe量子阱中受时间反演保护的边缘态,经过背散射后具有较强的稳定性.二维拓扑绝缘体中HgTe量子阱是很好的拓扑体系,但是由于其体电子态带隙太小,只能在低温(约10K)观察到它的量子自旋霍尔效应.
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