三维纳米超导量子干涉器件制备方法

来源 :第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:caery
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  纳米超导量子干涉器件(NanoSQUID)是基于超导量子干涉器件(SQUID)发展起来的一种新型器件。它利用纳米结代替传统的隧道结,使得超导环面积大幅度缩小,器件的最小可测自旋数大幅度增加,从而提升了器件对于微观尺寸的样品的灵敏度,同时它还具有可承受较大临界磁场,不易受到外界磁场干扰等优点。然而目前利用Nb,NbN 等临界温度较高的超导薄膜制备的二维的nanoSQUID 结构普遍存在器件调制深度较低的问题。这里我们介绍一种三维的纳米超导量子干涉器件制备方法。这种方法可以将纳米结的长度缩小到和超导材料的相干长度相当的尺度,从而增加nonoSQUID 的调制深度。
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