【摘 要】
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通过对磁性元件的损耗分析，构建了总损耗模型，该模型的磁芯损耗考虑了波形因素，铜损耗考虑了高频率对损耗的影响，用交流电阻损耗代替直流损耗，使得总损耗计算值更接近实际。对该模型求解极值，推导了最小损耗时的磁通密度与线圈匝数计算方法。通过对损耗、温升与绝缘关系的讨论，提出了提高磁芯元件功率密度设计方法。
【机 构】
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南京电子技术研究所(南京 310013)
【出 处】
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中国电源学会全国电源技术年会(第17届)
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通过对磁性元件的损耗分析，构建了总损耗模型，该模型的磁芯损耗考虑了波形因素，铜损耗考虑了高频率对损耗的影响，用交流电阻损耗代替直流损耗，使得总损耗计算值更接近实际。对该模型求解极值，推导了最小损耗时的磁通密度与线圈匝数计算方法。通过对损耗、温升与绝缘关系的讨论，提出了提高磁芯元件功率密度设计方法。
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