【摘 要】
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虽然目前氧化钨纳米线的制备方法很多,但是要在低温条件下制备高品质的氧化钨纳米线却是十分困难.我们分别利用金属Ni和Au纳米粒子作为催化剂,将化学气相沉积法与陶瓷模
【机 构】
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中山大学理工学院显示材料与技术广东省重点实验室,广州市新港西路135号, 510275
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虽然目前氧化钨纳米线的制备方法很多,但是要在低温条件下制备高品质的氧化钨纳米线却是十分困难.我们分别利用金属Ni和Au纳米粒子作为催化剂,将化学气相沉积法与陶瓷模板法相结合,成功地在低于530oC的温度下实现了WO2和WO3纳米线阵列的定域生长.场发射特性测试结果表明：WO3纳米和WO2纳米线阵列的平均开启电场低至1.36 V/μm,平均阈值电场为2.38 V/μm,平均最大电流密度超过13mA/cm2.这些研究结果都表明采用低温工艺制备的氧化钨纳米线表现出了比绝大多数纳米结构更加优越的场发射特性,这种简单的定域工艺为低温制备其他氧化物纳米线材料提供了一条有效的途径.
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