该文研究不同温度下,晶体固/液生长界面边界层内的浓度分布特性,并探索晶体生长速率与浓度场分布的定量关系。
选用KNbO和LiBO·KNbO等透明溶液材料,应用空间高温实时观察装置,研究了KNbO晶体的界面传输效应.实验测量的KNbO晶体界面附近溶质,热能和溶液流速的边界层厚度分别为7.5×10,8.6×10,和4.4×10cm,从而表明直径为1.6mm的圆形铂丝加热圈是研究边界层效应的有效实验手段.它特别适用于界面浓度分布效应的研究.本文还提出界面溶质对流胞理论模型.它的主要特性是表面张力对流起始于K
利用高温熔体实时观察装置观察和研究了BiSiO熔体中表面张力对流从稳态向振荡态的转变过程.稳态热毛细对流的模式由一个对流主干和两个分支组成,当振荡态出现后,主干的长度会随着温度的增加而呈现增长的趋势.振荡态的对流模式易受温度梯度的影响,对流主干总是朝向坩埚上的低温点.
采用复合沉淀法制备出了具有良好烧结活性的纳米级Eu掺杂(Y,Gd)O粉体.经过850℃/2小时煅烧后,得到晶粒尺寸为30—40nm左右,且基本无团聚的(Y,Gd)O:Eu发光粉体,粉体比表面积为23m/g.该粉体经过适当的干压和等静压成型后,于1800℃以上温度烧结6小时,可以获得(Y,Gd)O:Eu透明陶瓷.获得的透明陶瓷材料在波长250nm的紫外光激发下发射出较强的红光,发射主峰位于610nm
本文采用碳布叠层预制体,以HMDS(Hexmethyldisilazane)为前驱体应用强制流动热力学梯度化学气相渗透工艺(Forced-flow Thermal Gradient Chemical Vapor Infiltration,FCVI)制备C/SiC复合材料,通过XRD分析,发现在1100℃时渗透沉积的基体为无定型SiC.结合化学分析和XRD的结果,认为复合材料的基体中杂质相为游离C和
热压烧结制备了SIO-A1N-SiN天线窗复合材料, 研究了第二相和第三相颗粒的引入对复合材料制备和性能的影响。结果说明第二相和第三相颗粒的引入可抑制方石英相的析出;第二相和第三相颗粒的引入对SIO-A1N-SiN 复合材料的力学性能有明显的补强增韧作用;SIO-A1N-SiN复合材料的临界淬冷温度在600℃左右。
本文讨论了强外磁场条件下(300高斯)的Na原子滤光器对NaD线(589.6nm)的滤光特性,并提出以透宽比来描述滤光器的滤光特性更为合理.