高功率广义切比雪夫波导滤波器精确设计

来源 :2013年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:moqianru
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针对高功率广义切比雪夫波导滤波器,本文提出一种精确设计免调试解决方案;基于严格场论的模式匹配法作为仿真手段,单面开窗耦合结构用于降低加工误差比率,无调谐和无耦合螺钉作为高功率设计保证,最终实现了一种C频段高功率广义切比雪夫波导滤波器,测试结果验证了精确设计解决方案的有效性.
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由于GaN HEMT所具有的宽带、高效和高功率等特性,近年来在外军宽带战术电台中得到了广泛的应用,但在国内这方面的具体应用成果尚不多见,主要还是使用Si MOSFET.本文对比分析了这两类器件性能的优缺点,阐述了GaN HEMT在宽带战术电台功率放大器中的应用前景,还初步探讨了宽带战术电台用功率放大器对GaN HEMT器件的技术要求.
本文提出了一种新型的开关延迟线可重构滤波器.使用阶跃阻抗变换器或双行为谐振器作为单位元件,均能产生两对传输零点,提高滤波器带外抑制.本文给出了该类滤波器理论分析与两种设计实例,一种为阶梯阻抗变换器作为单位元件,工作在1G/1.5G,具有30dB的带外抑制;另一种为DBR作为单位元件,工作在1G/1.3G/1.6G,有50dB的带外抑制.
本文讨论了用微波宽带功率单片集成电路合成大功率宽带放大器的技术和实现方法,讨论了多路合成幅度和相位不一致性对合成功率的影响,确定了功率合成的拓扑结构.使用Ku波段MMIC完成了功率大于1000W、频带宽度大于20%Ku波段固态功率放大器的研制.
本文介绍了一种低杂散、高隔离度直接式频率综合器.该频率综合器采用模拟直接式频率合成方式,通过对频率组合的合理划分,选择了在通带内交调最小的频率组合,保证了低杂散的性能.通过巧妙的设计,在混频器中频端增加的开关和射频端增加的开关滤波组,实现了两路信号的高隔离度.
本文介绍了一种应用于毫米波雷达的二次次谐波混频器.该混频器采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术,将本振端口与射频输入端口放置于二极管管对的一侧,中频输出位于二极管管对的另一侧,有效简化了电路结构,减小了尺寸;并且采用CMRC结构作为中频输出滤波网络,在增加阻带带宽的同时减小了尺寸.结果表明在本振功率为5dBm时可以获得优于4dB的变频损耗,管对采用DMK2308,LTCC基片介电常数为5.9.
本文介绍了一个基于HMC704LP4E鉴相芯片的17.5GHz低相噪、低杂散单频锁相源的实现方案.测试结果表明:该锁相源输出信号相位噪声在偏离载波1kHz、10kHz和100kHz处分别达到-98dBc/Hz、-105.2dBc/Hz和-108.5dBc/Hz;鉴相泄漏等杂散抑制优于82dBc,谐波抑制优于67dBc;电路尺寸为80×75×22mm3.
用实验测量方法提取了Si/SiGe多发射极微波异质结晶体管(HBT)的直流GP模型SPICE参数,模拟了器件的输出特性曲线,分析了器件在小注入与大注入直流工作时的特性差异;用H参数法建立了器件的交流等效电路模型,模拟了器件的散射参数S21和电流增益截止频率fT,模拟结果与实际测量的结果相吻合,在此基础上比较了HBT与BJT器件等效电路模型的差异.
本文利用J变换器的Π型等效网络以及谐振腔开路枝节的双线等效电路实现了Dual Behavior Resonator(DBR)滤波器的小型化.Π型等效网络由两侧加载电纳的高阻抗传输线构成,加载电纳可被相邻DBR谐振腔吸收,谐振腔开路枝节由并联双线等效,新结构同时具有更高的高端带外抑制与易于加工的优点.本文给出了相关的理论分析,设计并测试了一个3阶DBR滤波器,与传统DBR滤波器相比尺寸缩小72%.
本文基于半集总拓扑结构设计了一种小型化的宽阻带低通滤波器.根据微波低通滤波器的原型电路,在微带传输线中间采用集总电容来代替分布电容,可以有效的减小电路尺寸大小,同时产生宽阻带的低通滤波特性.由于电路结构的对称性,基于奇、偶模理论,对滤波器传输特性的基本原理及传输零点的产生进行了详细的分析.最后,采用标准印刷电路板工艺对电路进行了加工,仿真与测试结果基本吻合.由测试结果可知,本文所设计的低通滤波器通
This paper presents a novel triple-band bandpass filter using dual-mode open-loop resonator.The dual-mode resonators excite non-degenerate modes by using open-loaded stub.The nature of the dual-mode r