【摘 要】
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本文采用高温催化热解化学气相沉积法在光纤上生长碳纳米管,研究了激光波长为375nm的光辅助场对碳纳米管场发射特性的影响.实验结果表明,光纤表面覆盖着垂直生长的碳纳米管,
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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本文采用高温催化热解化学气相沉积法在光纤上生长碳纳米管,研究了激光波长为375nm的光辅助场对碳纳米管场发射特性的影响.实验结果表明,光纤表面覆盖着垂直生长的碳纳米管,该结构的场发射冷阴极降低了碳管发射尖端的电场屏蔽效应,有利于增强碳管的场发射特性;实验中还比对了没有光学辅助场时碳纳米管的场发射特性,发现激光光场作为辅助场,降低了碳纳米管的场发射阈值电压,增强了场发射电流,有利于碳纳米管发射电子,光耦合场发射显著地增强了碳纳米管的场发射性能.
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