【摘 要】
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本文首次报道了磁控溅射制备大块SiGe纳米材料的实验研究.在加工SiGe复合靶的实验基础上,采用射频磁控溅射技术,于玻璃衬底和Si衬底上,制备了一系列SiGe纳米晶薄膜,X射线小角
【机 构】
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云南大学材料科学与工程系(云南昆明)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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本文首次报道了磁控溅射制备大块SiGe纳米材料的实验研究.在加工SiGe复合靶的实验基础上,采用射频磁控溅射技术,于玻璃衬底和Si衬底上,制备了一系列SiGe纳米晶薄膜,X射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,通过计算机模拟实验曲线确定出了SiGe薄膜的厚度,计算出不同压强下的溅射速率.实验微结构分析和计算机模拟都表明:在衬底温度为400℃、溅射功率为150W的溅射条件下,2～3Pa氩气压强时制备出SiGe纳米晶的均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好.用喇曼散射对不同工艺下的结构和成分进行分析,进一步表明制备SiGe纳米晶薄膜的优化衬底温度为400℃左右,在此条件下获得纳米晶的尺度为20～100nm.在喇曼谱中还观察到Si-Si键、Si-Ge键和Ge-Ge键光学声子峰和声学声子峰,相关的材料制备和测试分析尚在进行.
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