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本文介绍了用PIXE分析方法结合切片技术测得低能钒离子注入花生种子后的分布深度达到135微米以上.这一结果与低能离子在均匀介质里的射程相差甚远,与正电子湮没技术测得花生种子里存在大量直径在0.7nm的空洞互为引证.
低能离子注入种子后分布深度的实验研究
【摘 要】
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本文介绍了用PIXE分析方法结合切片技术测得低能钒离子注入花生种子后的分布深度达到135微米以上.这一结果与低能离子在均匀介质里的射程相差甚远,与正电子湮没技术测得花生
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,射线束材料改性教育部开放实验室,北京,100875
【出 处】
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第九届全国正电子谱学术会议
【发表日期】
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2005年4期
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