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采用射频反应磁控溅射法在PZT(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了高度C轴择优取向的ZnO薄膜,使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究了衬底温度对ZNO薄膜微观结构和形貌的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,ZnO(002)择优取向明显改善,600℃生长的ZaO薄膜具有最好的结晶质量.一定范围内(300~600℃)提高衬底温度使晶粒大小均匀、致密,有利于改善表面粗糙度.500℃时表面粗糙度迭到最小3.994nm,同时薄膜压应力随温度升高有减小的趋势.