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现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用，这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的，对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下的γ电离总剂量效应，并针对该公司的可编程芯片内部结构进行了辐射效应分析。
不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究
【摘 要】
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现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用，这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的，对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下
【机 构】
：
中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
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第十二届反应堆数值计算和粒子输运学术会议暨2008年反应堆物理会议
【发表日期】
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2008年期
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