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目前已有的研究表明,二氧化钛表面引入缺陷能极大地影响材料的导电性、载流子扩散、热动力学和光学吸收[1,2]。其中氧空位是具有较低的形成能,在催化的过程中可以提供悬挂键有利于反应底物的吸附;由于具有局域富电子的特性,可以将吸附的底物进一步活化,调控其电子结构从而极大的影响光催化过程[3]。