脉冲直流PCVD在复杂型腔内表面沉积Ti-Si-N薄膜的研究

来源 :第五届全国表面工程学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chengyao54321
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用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部和狭缝内侧壁获得Ti-Si-N薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱仪(EDX)、X射线衍射谱仪(XRD)、球痕法(ball-crater)和显微硬度计(Hk)分析薄膜在不同测试位置处的微观结构和力学性能.结果表明,在盲孔底部,随测试半径增加,Ti-Si-N薄膜中Ti元素含量下降、Si元素含量升高,薄膜厚度下降,膜基复合显微硬度下降;在狭缝侧壁,随测试点偏离轴线距离的增加,薄膜厚度稍稍下降,薄膜中Ti元素含量下降、Si元素含量升高,测试硬度下降.
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