Ni 80Fe20/cu多层膜界面粗糙度对磁电阻的影响

来源 :中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liuji19840718
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采用磁控溅对方法,在不同溅射气压下制备了具有巨磁电阻效应的Ni 20Fe20/cu金属多层膜。室温下,饱和磁电阻值随着Cu层厚叵的增加呈振荡变化,对应于溅射气压为0.25Pa的样品,在cu层厚度tcu=10A、22A时,磁电阻出现两个峰值·磁电阻分别为194和11.6,溅射气压为0.45Pa的样品,磁电阻分别为11.2℅和1℅。采用同步辐射光源,在cuK吸收边能量位置(8.989KEV)对不同溅射气压下制备的多层膜样品做了X光小角衍射和漫散射实验,标定了界面粗糙度。结果表明多层膜界面的粗糙度对磁电阻有明显的影响。
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