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本文总结了MOS管在版图结构设计方面可以采取的抗总剂量辐射加固措施,探讨了这些措施的作用机理及优缺点.基于这些,本文提出了一种新的加固结构—环栅-P栅切割结构,并利用Sentaurus TCAD对所提出的加固措施的有效性进行了仿真.结果证明,本文所提出的结构可以实现抗总剂量辐射加固.
一种新的MOS管抗总剂量辐射加固措施
【摘 要】
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本文总结了MOS管在版图结构设计方面可以采取的抗总剂量辐射加固措施,探讨了这些措施的作用机理及优缺点.基于这些,本文提出了一种新的加固结构—环栅-P栅切割结构,并利用Sen
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054中国电子科技集团公司第四十四研究所重庆400060
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
【发表日期】
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2012年12期
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