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对Mg 含量不同的两种靶材，利用激光分子束外延设备生长了相应的MgZnO 薄膜。透过率曲线测试显示生长的样品出现两个光学吸收边, 这可能是因为出现了混合相。透过率和光致发光谱结果显示，随着Mg组分的升高，MgZnO 吸收边和紫外带边发射峰发生蓝移，表明Mg 的掺入增加了MgZnO 的禁带宽度。观察到当Mg 含量较低时，MgZnO 晶体薄膜的光致发光谱缺陷峰强度很弱，但是随着靶材中Mg 含量的升高，MgZnO 晶体薄膜的带边峰与缺陷峰的强度之比有所下降，透过率曲线坡度也变得非常缓，并对这一现象进行了解释。