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以Si粉、Al粉、α-Al2O3为原料,采用热化学气相沉积法在1550℃下保温3h,得到纯β-Si5AlON7纳米带,宽50～600nm,厚5～50 nm,宽厚比大于5,长度长达几百微米甚至数毫米,主要沿[101]晶面生长。利用X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)、场发射扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、选区电子衍射(SEAD)、红外光谱、光致发光光谱(pL)等检测手段,对所得样品进行成分、形貌、结构、物性的分析。由于Al-O与Si-N的替换产生的结构缺陷导致纳米带具有发光性能。