【摘 要】
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为充分利用太阳光的短波部分,将AlGaAs设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合.以制作工艺简单的p-AaGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池.其I-V特性理论研究结果表明,选择合适的负电荷面密度数和AlGa
【出 处】
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中国工程热物理学会工程热力学与能源利用学术会议
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为充分利用太阳光的短波部分,将Al<,x>Ga<,1-x>As设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp<+>-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合.以制作工艺简单的p<+>-AaGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp<+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<+>-GaAs太阳电池.其I-V特性理论研究结果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al<,0.3>Ga<,0.7>As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级.优化设计得到的整个电池的效率为31.5％,较传统的窗口层电池有明显提高.
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