【摘 要】
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蓝宝石图形化衬底(PSS)技术在GaN基LED上已获得了广泛的应用,并于近年发展至纳米尺度,即蓝宝石纳米图形化衬底[1](NPSS)技术.NPSS技术被认为可以进一步降低外延薄膜的位错密度,并提高LED光提取效率,提升器件性能.对于NPSS技术而言,获得周期性排布、规则、小尺寸掩膜图形至关重要.
【机 构】
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广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院),广州,510650 中国科学院物理研究所,北京,100
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蓝宝石图形化衬底(PSS)技术在GaN基LED上已获得了广泛的应用,并于近年发展至纳米尺度,即蓝宝石纳米图形化衬底[1](NPSS)技术.NPSS技术被认为可以进一步降低外延薄膜的位错密度,并提高LED光提取效率,提升器件性能.对于NPSS技术而言,获得周期性排布、规则、小尺寸掩膜图形至关重要.
其他文献
对于传统的三元合金AlGaN/GaN异质结构,在保持高二维电子气(2DEG)迁移率的前提下要 尽可能提高其浓度,这就需要提高Al的组分.但在常规混晶AlGaN的情况下,铝组分超过一定值时晶体质量大幅下降,导致迁移率大幅下降,不能为器件所用.
利用低压MOCVD技术在硅衬底上生长了1.4um厚GaN材料,在高温GaN生长中插入一层AlN,成功消除了GaN表面的微裂,并研究了插入层温度对GaN外延薄膜残余应力的影响.为了研究不同温度AlN插入层对GaN外延层应力的影响,生长了两个具有不同温度的AlN插入层的样品.
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提出一种AlGaN势垒层Al组分渐变的AlGaN/GaN HEMT结构,其中势垒层厚度22nm,栅源、栅漏距离均为3 μ m.
本文研究了势垒层生长压力和气氛对AlGaN/GaN HEMT二维电阻气方块电阻的影响.100Torr生长压力表面形貌最好,方块电阻也最小.氢气比例23.5％时,方块电阻也最小.引言：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频高压微电子器件领域有很大的应用潜力[1].AlN插入层[2],AlGaN势垒层优化[3]等都被报道用来改善AlGaN/GaN HEMT 2DEG的性质.本文改变Al
近年来,随着对非极性GaN基量子阱器件的深入研究,研究人员观察到其二维电子气输运特性具有显著的各向异性.典型的非极性GaN异质结的表面和界面具有密集条形显微形貌,可能导致受界面粗糙度散射影响的二维电子气迁移率在平行和垂直于条形形貌的两个方向上截然不同.
传统AlGaN/GaN单异质结构的限域性不高会对GaN HEMT器件的性能造成多方面的影响,如阈值偏移现象较大、器件高漏压下夹断特性不好以及缓冲层存在漏电等.为了解决这些问题,人们提出了GaN双异质结构[1].双异质结构通过引入背势垒,使得沟道的限域性得到显著提高,能够有效抑制短沟道效应,提高大功率应用时的击穿特性[2-3],其优良的高温特性使得器件可以更适用于更高温的恶劣工作环境下.
基于Ⅲ族氮化物材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)成为固态微波功率器件研究的热点,并取得了显著进展.为了提高HEMT器件工作频率,需要缩短器件栅长,并减薄势垒层厚度而保持足够大的栅长与势垒层厚度之比,因此薄势垒异质结材料成为提高器件工作频率的必然选择.
The effects of GaN channel layer thickness on dc and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs with a state-of-the-art composite AlGaN/GaN (1/1 μm) buffer were systematically investigated.Although HEMTs with
本文研究了利用热的纯磷酸溶液腐蚀GaN基垂直结构LED产生的影响.利用MOCVD在蓝宝石上生长LED结构,然后通过键合和激光剥离技术将外延层转移到钨铜衬底上并去掉蓝宝石衬底,露出N极性GaN.LED芯片的大小为1000×1000 μm2,然后制备SiO2掩膜,露出70μm宽的沟道,接着将样品放在160℃的纯磷酸溶液中腐蚀不同的时间,随后对不同腐蚀时间的样品做了电致发光测试.
本文设计并实现了一种具有新型图形化SiO2/Al2O3钝化层与TiO2/Al2O3反射镜结构的GaN基发光二极管(LED).采用原子层沉积(ALD)的方法得到的SiO2/Al2O3钝化层具有优良的均匀性与致密性,并且在制备过程中可以精确控制钝化层的厚度.